Everspin和Globalfoundries将其MRAM协议扩展到12nm工艺
MRAM是基于电子自旋而不是电荷的下一代存储技术。MRAM通常被称为“存储器的圣杯”，具有快速，高密度和非易失性的特点，可以在单个芯片中替代当今使用的所有类型的存储器。
Everspin是全球唯一的磁性RAM（MRAM）产品商业制造商。Everspin产品凭借其非常成功的ToggleMRAM技术，被用于从汽车，航空和存储系统到工业自动化，航空航天等领域的各种应用。我司英尚微电子everspin代理,主要提供用户各种容量大小的MRAM芯片产品,提供完善的产品技术和解决方案。
Everspin Technologies宣布已修订与GLOBALFOUNDRIES的STT-MRAM联合开发协议（JDA），以为高级12nm FinFETMRAM解决方案的未来项目设定条件。Everspin协议包括40nm，28nm和22nm工艺，现在还包括12nm。
Everspin 1Gb STT-MRAM芯片照片
GF最近宣布已在其22FDX平台上实现了嵌入式MRAM（eMRAM）的初步生产。
Everspin MRAM 128Kb
Density
Org.
Part Number
Pkg.
Voltage
Temp
Order Multiple /Tray
MOQ / Tray
MOQ / T&R
128Kb
16Kx8
MR25H128ACDF
8-DFN sf
3.3v
Industrial
570
1,140
4,000
128Kb
16Kx8
MR25H128ACDFR
8-DFN sf
3.3v
Industrial
570
1,140
4,000
128Kb
16Kx8
MR25H128APDF
8-DFN sf
3.3v
Industrial
570
1,140
4,000
128Kb
16Kx8
MR25H128APDFR
8-DFN sf
3.3v
Industrial
570
1,140
4,000
128Kb
16Kx8
MR25H128AMDF
8-DFN sf
3.3v
AEC-Q100 Grade 1
570
1,140
4,000
128Kb
16Kx8
MR25H128AMDFR
8-DFN sf
3.3v
AEC-Q100 Grade 1
570
1,140
4,000
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