解释计算机体系结构中基于半导体的 ROM 存储器？

经典的掩模编程 ROM 芯片是连接电路，对要保存的信息进行物理编码，因此在制造后无法修改其内容。几种非易失性固态存储器的方法允许进行一定程度的修改 -

可编程只读存储器 (PROM) - 它是一种一次性可编程 ROM (OTP)，可以通过称为 PROM 编程器的独特设备写入或编程。该设备使用高电压来永久损坏或在芯片内部产生内部连接（熔断器或反熔断器）。
Erasable Programmable read-only memory (EPROM) - 它可以被强紫外线（通常为 10 分钟或更长时间）的危险擦除，然后用再次需要应用高于典型电压的过程重写。反复暴露在紫外线下最终会磨损 EPROM，但大多数 EPROM 芯片的强度超过了数千次擦除和重新编程的循环。

EPROM 芯片封装可以通过突出的石英“窗口”来识别，该窗口可以让紫外线进入。编程后，窗口一般用标签包裹起来，以免误删。各种EPROM芯片都是出厂擦除的，因为它们是封装的，没有窗口，这些都是有效的PROM。

电可擦除可编程只读存储器 (EEPROM) - 它与 EPROM 位于相同的半导体结构上，但可以电擦除其全部内容，从而以电方式重写，因此它们不需要从计算机（或相机）中删除、MP3 播放器等）
电可变只读存储器 (EAROM) - 它是一种可以一次更改一位的 EEPROM。写入是一个非常简单的过程，需要用于读取方法的更高电压（通常约为 12V）。

EAROM 专为需要偶尔且仅不完全重写的应用程序而设计。EAROM 可作为非易失性存储器用于要求苛刻的系统设置数据，在某些应用中，EAROM 已被中央电源提供并以锂电池作为后备的 CMOS RAM 取代。

Flash memory - 1984 年设计的一种电流型 EEPROM。Flash 存储器可以比普通 EEPROM 更快地擦除和重写，并且最近的设计特性具有非常高的强度（超过 1, 00,000 个周期）。

最近的 NAND 闪存有效利用了硅芯片空间，导致单片 IC 的大小在 2007 年高达 32GB，这一特性以强度和物理持久性向前发展，使 NAND 闪存能够在包括 USB 闪存驱动器在内的各种应用中恢复磁性。

闪存在用作早期 ROM 类型的恢复时被称为闪存 ROM 或闪存 EEPROM，但在利用其快速重复更改能力的应用程序中则不然。