MR25H40非易失性串行接口MRAM
Everspin 是设计，制造和商业销售离散和嵌入式磁阻RAM（MRAM）和自旋传递扭矩MRAM（STT-MRAM）的全球领导者，其市场和应用领域涉及数据持久性和完整性，低延迟和安全性至关重要。Everspin在数据中心，云存储，能源，工业，汽车和运输市场中部署了超过1.2亿个MRAM和STT-MRAM产品，为全球MRAM用户奠定了最强大，增长最快的基础。
MR25H40是4,194,304位磁阻随机存取存储器（MRAM）设备系列，组织为524,288个8位字。 对于必须使用少量I / O引脚快速存储和检索数据和程序的应用程序，它们是理想的内存解决方案。 它们具有串行EEPROM和串行闪存兼容的读/写时序，没有写延迟，并且读/写寿命不受限制。 与其他串行存储器不同，使用MR2xH40系列，读取和写入都可以在内存中随机发生，而写入之间没有延迟。
MR25H40系列可在各种温度范围内提供高度可靠的数据存储。 MR20H40（50MHz）提供工业温度范围（-40°至+85°C）。 MR25H40（40MHz）具有工业（-40°至+85°C），扩展（-40至105°C）和AEC-Q100 1级（-40°C至+125°C）工作温度范围 选项。两者均采用5 x 6mm，8引脚DFN封装。 该引脚与串行SRAM，EEPROM，闪存和FeRAM产品兼容。我司英尚微电子EVERSPIN代理,提供各种容量大小的MRAM芯片,提供样品及技术支持。
Everspin MR25H40系列
4Mb
512Kx8
MR25H40CDC
8-DFN
3.3V
Industrial
4Mb
512Kx8
MR25H40CDCR
8-DFN
3.3v
Industrial
4Mb
512Kx8
MR25H40CDF
8-DFN sf
3.3V
Industrial
4Mb
512Kx8
MR25H40CDFR
8-DFN sf
3.3v
Industrial
4Mb
512Kx8
MR25H40MDF
8-DFN sf
3.3V
AEC-Q100 Grade 1
4Mb
512Kx8
MR25H40MDFR
8-DFN sf
3.3v
AEC-Q100 Grade 1
4Mb
512Kx8
MR25H40VDF
8-DFN sf
3.3v
Extended
4Mb
512Kx8
MR25H40VDFR
8-DFN sf
3.3v
Extended
4Mb
512Kx8
MR20H40CDF
8-DFN sf
3.3V
Industrial
4Mb
512Kx8
MR20H40CDFR
8-DFN sf
3.3V
Industrial
以上是 MR25H40非易失性串行接口MRAM 的全部内容， 来源链接： utcz.com/z/513863.html
