FRAM的未来是更高的密度
最近出现的许多内存问题都以3D Xpoint的形式出现在ReRAM，MRAM和PCRAM上。但是铁电RAM（FRAM）在小型利基设备中得到了成功。
去年对新兴内存年报，吹捧的ReRAM，MRAM和PCRAM的三个关键新兴的记忆保持在眼睛上。但它也指出，FRAM已在诸如大众运输卡，游戏系统和功率计之类的特定市场证明了自己，其主要吸引力在于执行写入操作时的低功耗。 FRAM产品已经存在很长时间了，主要是作为缓冲应用程序的专用缓存。甚至还有一些灵活的FRAM器件，“但对于利基应用，它们的密度相对较低。
实际上，FRAM已经存在了35年。它的非易失性和低功耗是它继续受到关注的原因，因为它对许多应用程序都至关重要。由于其开关能量低，FRAM通常具有很大的吸引力，需要非常低的能量来切换这种材料，因此如果正在编程或提高比特率，则需要投入很少的能量来扭转这种极化。与其他技术相比，FRAM的开关能量最低。
但是它也面临挑战，包括高昂的处理成本，大的存储单元和更大的芯片尺寸。可扩展性对于超越小型密度利基应用来说是必不可少的。
FMC的FRAM技术使用氧化ha作为栅极绝缘体，因此可以采用标准的HKMG晶体管并对其栅极绝缘体进行改性，使其成为铁电体，从而制造出非易失性HKMG晶体管。
FRAM的有效扩展可能是使用氧化f，该氧化物通常用于帮助在标准CMOS逻辑工艺中制造高K栅极电介质层。那激发了人们对铁电存储器的新兴趣。到目前为止，还没有新的产品可以利用这种材料，但是有几个研究项目正在进行中。它显示出有望实现某些高密度和与CMOS的兼容性。
但是，FRAM仍然面临与MRAM和ReRAM相似的挑战，包括受到晶体管尺寸的限制。
氧化f几乎可以用作所有高钾金属栅极（HKMG）工艺节点的栅极绝缘体，因此可以采用标准的HKMG晶体管并对其栅极绝缘体进行改性，使其成为铁电体，从而制造出非易失性HKMG晶体管- FeFET。在性能方面，该公司的技术可以在10到15纳秒的数量级内实现读写，同时在85度角下可以保持长达十年的保留时间。
由于FMC的FeFET存储器是从标准HKMG逻辑晶体管衍生而来的，因此该概念具有与CMOS基准线一样的固有可扩展性。这种可伸缩性对于保持较低的制造成本至关重要，包括使非易失性存储器消耗的芯片面积尽可能小。FeFET技术将在28或22 nm处击穿2至3层。FMC现在的重点是技术开发，并将其发展到可以被铸造厂认可的水平。
能够与现有的CMOS工艺集成并实现3D是可伸缩性的关键。还可以直接集成到晶体管规格中。这样可以减少占用空间并简化流程，这是可扩展性的重要推动力。
同时，FRAM有许多小密度，细分市场的应用。赛普拉斯半导体RAM业务部门表示，它不仅具有非易失性和低能耗的特性，而且还具有耐辐射性。总体而言，它是一种相当稳定的内存-以其目前可商购的形式-用于数据记录和备份之类的应用程序。
赛普拉斯最初推出了面向汽车和工业应用的Excelon FRAM，其低引脚数小封装选项的密度高达8Mb。
Cypress FRAM产品包括其Excelon系列，该系列专门为自动驾驶汽车所需的高速非易失性数据记录而设计，但也正在逐步应用于医疗，可穿戴，物联网传感器，工业以及其他高级汽车应用中。Chandrasekharan说，Excelon FRAM已经提供2 Mb，4 Mb和8 Mb密度选项，而16 Mb正在开发中。由于FRAM显着降低了功耗，保留了数据并且对辐射不敏感，因此被认为是这些应用中EEPROM和NOR闪存的良好替代品。在植入式医疗设备中发现了很多用例，这些植入物有望在长达十年的时间内发挥作用。
但是赛普拉斯也在展望氧化oxide可能实现的更高密度，因为那时FRAM可能会超越数据记录范围，成为事实上的非易失性存储。
FMC还认为其FRAM技术已成为可行的存储类存储器，并且由于其多功能性，在机器学习和人工应用方面也具有很大的潜力。目标不是要取代诸如DRAM之类的更高密度的存储器，而是要针对其技术有实际应用的地方。
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